與哪些因素有關？H2SO4濃度。改變H2SO4濃度對氧化膜的阻擋層厚度，溶液的導電性、陽極氧化膜的耐蝕性和耐磨性以及后處理的封孔質量都將產生一定的影響。H2SO4濃度阻擋層厚度維持電壓耐蝕、耐磨性氣化膜質量膜層發灰，疏松，膜孔外層孔徑大，封孔困難，槽液溫度陽極氧化過程中，部分電能會轉化為熱能，槽液溫度會不斷上升，而隨著溫度的上升，膜層損失會增加而且成膜質量變差，膜耐磨性下降，尤其對15um以上膜層，甚至在空氣中就會出現“粉化”現象，因此過程中需要對槽液降溫，以維持適宜的溫度。一般來說：槽溫在一定范圍內提高，獲得陽極氧化膜重量減小，膜變軟但較光亮。槽液溫度高，生成的氧化膜外層膜孔徑和度變大，造成封孔困難，也易產生封孔“粉霜”。槽溫較高時，陽極氧化膜易染色。但對于保持顏色深淺一致時較難，所以一般染色膜的陽極氧化溫度為20~25℃降低溫度，得到的氧化膜硬度高，耐磨性好，在陽極氧化過程中維持電流密度所需電壓較高，能耗大，所以一般普通陽極氧化選擇18~22℃

　　氧化電壓陽極氧化電壓決定氧化膜的孔徑大小，低壓生成的膜孔徑小，孔數多，而高壓生成的膜孔徑大，孔數小，一定范圍內高壓有利于生成致密，均勻的膜。

　　電流密度電流密度大，成膜快，生產效率高，但過高則易燒傷工件。一般電流密度控制在1.2~1.8A/dm2范圍內電流密度低，生產效率低，但處理面光亮（約1A/dm2）電流密度高，成膜快，但易產生軟膜，甚至燒傷如果冷凍能力足夠，攪拌良好，則采用較大電流陽極氧化，有利于提高膜的耐磨性。

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